FQA9N90C-F109, МОП-транзистор 900V N-Channel QFET
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание FQA9N90C-F109
| Серия | FQA9N90C_F109 |
|---|---|
| Вес изделия | 6.401 g |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | QFET |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-3PN-3 |
| Длина | 16.2 mm |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Высота | 20.1 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 280 W |
| Технология | Si |
| Время спада | 75 ns |
| Время нарастания | 120 ns |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.4 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 58 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 50 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара