NVTFS6H850NLTAG, МОП-транзистор T8 80V LL U8FL
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NVTFS6H850NLTAG
| Вес изделия | 29.570 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | WDFN-8 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время нарастания | 21 ns |
| Время спада | 5 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 73 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 64 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.6 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 26 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 64.1 S |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара