IPD30N06S2L23ATMA3, МОП-транзистор N-CHANNEL_55/60V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IPD30N06S2L23ATMA3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Длина | 6.5 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Высота | 2.3 mm |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 9 ns |
| Время нарастания | 22 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Технология | Si |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 15.9 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 33 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара