FDMD86100, МОП-транзистор FET 80V 10.5 MOHM PQFN56
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание FDMD86100
| Серия | FDMD86100 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 0.8 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Упаковка / блок | Power-33-8 |
| Ширина | 3.3 mm |
| Вес изделия | 98 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 33 W |
| Конфигурация | Dual |
| Технология | Si |
| Время спада | 4.1 ns |
| Время нарастания | 4.3 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 39 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench Power Clip |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 21 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара