CSD16415Q5T, МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание CSD16415Q5T
| Серия | CSD16415Q5 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 6 mm |
| Технология | Si |
| Ширина | 5 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 125 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | VSON-CLIP-8 |
| Конфигурация | Single |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 12.7 ns |
| Время нарастания | 30 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Qg - заряд затвора | 21 nC |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 168 S |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16.6 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара