DN3765K4-G, МОП-транзистор NCh DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор NCh DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET
Артикул:
DN3765K4-G
Производитель:
Описание DN3765K4-G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Длина | 6.73 mm |
| Ширина | 6.1 mm |
| Высота | 2.39 mm |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Время спада | 100 ns |
| Id - непрерывный ток утечки | 300 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 Ohms |
| Время нарастания | 75 ns |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 50 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Канальный режим | Depletion |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара