FDB20N50F, МОП-транзистор UF 500V 260MOHM F D2PAK
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание FDB20N50F
| Серия | FDB20N50F |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Коммерческое обозначение | UniFET |
| Вес изделия | 1.762 g |
| Длина | 10.67 mm |
| Ширина | 9.65 mm |
| Высота | 4.83 mm |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 260 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 50 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 60 ns |
| Время нарастания | 120 ns |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 45 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 25 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара