IXFN140N30P, MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
Код товара: 10699612
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
2 740,25 руб.
Нет в наличии
Описание IXFN140N30P
| Вес изделия | 30 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Серия | IXFN140N30 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Высота | 9.6 mm |
| Длина | 38.2 mm |
| Ширина | 25.07 mm |
| Конфигурация | Single Dual Source |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 700 W |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 115 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 20 ns |
| Время нарастания | 30 ns |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFN140N30P , MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара