APT54GA60BD30, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
Код товара: 10699420
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
1 050,91 руб.
Нет в наличии
Описание APT54GA60BD30
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Длина | 10.8 mm |
| Ширина | 15.49 mm |
| Высота | 4.69 mm |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
| Pd - рассеивание мощности | 416 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 96 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 96 A |
Способы доставки в Калининград
Доставка APT54GA60BD30 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 824 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2242 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара