DXTN10060DFJBWQ-7, Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transist
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transist
Артикул:
DXTN10060DFJBWQ-7
Производитель:
Описание DXTN10060DFJBWQ-7
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 30 g |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | W-DFN2020-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 240 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 550 at 10 mA, 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 at 10 mA, 2 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара