JAN2N3439, Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание JAN2N3439
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Вид монтажа | Through Hole |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Упаковка / блок | TO-39-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 350 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 at 20 mA, 10 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 450 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 at 20 mA, 10 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара