DMHC3025LSDQ-13, МОП-транзистор 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP
Артикул:
DMHC3025LSDQ-13
Производитель:
Описание DMHC3025LSDQ-13
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMHC3025 |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Вес изделия | 74 mg |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 4 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Quad |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A, 4.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25 mOhms, 50 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, - 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel, 2 P-Channel |
| Время спада | 8.7 ns, 13.5 ns |
| Время нарастания | 15 ns, 4.9 ns |
| Типичное время задержки выключения | 17.5 ns, 28.2 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11.2 ns, 7.5 ns |
| Qg - заряд затвора | 11.7 nC, 11.4 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара