DMG6898LSDQ-13, МОП-транзистор Dual N-Ch Enh FET 30V 9.8A 20Vdss
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор Dual N-Ch Enh FET 30V 9.8A 20Vdss
Артикул:
DMG6898LSDQ-13
Производитель:
Описание DMG6898LSDQ-13
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMG6898 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.28 W |
| Вес изделия | 74 mg |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 9.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Время спада | 12.33 ns, 12.33 ns |
| Время нарастания | 12.49 ns, 12.49 ns |
| Типичное время задержки выключения | 35.89 ns, 35.89 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11.67 ns, 11.67 ns |
| Qg - заряд затвора | 26 nC, 26 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара