SQ1539EH-T1_GE3, МОП-транзистор N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SQ1539EH-T1_GE3
| Вес изделия | 7.500 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | SQ |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Длина | 2.1 mm |
| Ширина | 1.25 mm |
| Высота | 1 mm |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Время спада | 32 ns, 17 ns |
| Время нарастания | 18 ns, 39 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 850 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 210 mOhms, 788 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V, 2.6 V |
| Qg - заряд затвора | 1.4 nC, 1.6 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 8 ns, 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns, 4 ns |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.2 S, 0.6 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара