CSD19502Q5BT, МОП-транзистор N-Channel, 3.4mOhm 80V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание CSD19502Q5BT
| Серия | CSD19502Q5B |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 6 mm |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 134.700 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Упаковка / блок | VSON-Clip-8 |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 195 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Qg - заряд затвора | 48 nC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 88 S |
| Время спада | 7 ns |
| Время нарастания | 6 ns |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара