SMBT2222AE6327HTSA1, Биполярные транзисторы - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A
Артикул:
SMBT2222AE6327HTSA1
Производитель:
Описание SMBT2222AE6327HTSA1
| Серия | SMBT2222 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 8 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 600 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара