2N4150, Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание 2N4150
| Упаковка | Bulk |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 4.675 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-5-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 1 A, 5 VDC |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 70 V |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 1 A, 5 VDC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара