STS8DN6LF6AG, МОП-транзистор Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power МОП-транзистор in a SO-8 package
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power МОП-транзистор in a SO-8 package
Артикул:
STS8DN6LF6AG
Производитель:
Описание STS8DN6LF6AG
| Упаковка / блок | SO-8 |
|---|---|
| Серия | STS8DN6LF6AG |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Конфигурация | Dual |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Pd - рассеивание мощности | 3.2 W |
| Время спада | 7 ns, 7 ns |
| Время нарастания | 20 ns, 20 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 21 mOhms, 21 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 27 nC, 27 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 56 ns, 56 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.6 ns, 9.6 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара