APT150GT120JR, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание APT150GT120JR
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Высота | 9.6 mm |
| Длина | 38.2 mm |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Ширина | 25.4 mm |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Вес изделия | 30 g |
| ECCN | EAR99 |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Коммерческое обозначение | Thunderbolt IGBT, ISOTOP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Pd - рассеивание мощности | 830 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.2 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 170 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 900 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара