IXTH6N100D2, МОП-транзистор 6Amps 1000V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXTH6N100D2
| Вес изделия | 1.600 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXTH6N100 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | Depletion Mode MOSFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Высота | 21.46 mm |
| Длина | 16.26 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 95 nC |
| Время спада | 47 ns |
| Время нарастания | 80 ns |
| Типичное время задержки выключения | 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.6 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара