APT50GF120LRG, IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Single
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание APT50GF120LRG
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Вес изделия | 10 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 781 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 135 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара