IXTT12N150HV, МОП-транзистор MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXTT12N150HV
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-268-3 |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 890 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.5 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 53 ns |
| Типичное время задержки при включении | 26 ns |
| Qg - заряд затвора | 106 nC |
| Время спада | 14 ns |
| Время нарастания | 16 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара