STGWT80V60DF, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 600V 80A
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 600V 80A
Артикул:
STGWT80V60DF
Производитель:
Описание STGWT80V60DF
Упаковка / блок | TO-3P |
---|---|
Серия | STGWT80V60DF |
Вес изделия | 6.756 g |
ECCN | EAR99 |
Упаковка | Tube |
Вид монтажа | Through Hole |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 469 W |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 120 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 80 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара