STGWT80V60DF, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 600V 80A
Код товара: 10673995
Цена от:
833,13 руб.
Нет в наличии
Описание STGWT80V60DF
Упаковка / блок | TO-3P |
---|---|
Серия | STGWT80V60DF |
Вес изделия | 6.756 g |
ECCN | EAR99 |
Упаковка | Tube |
Вид монтажа | Through Hole |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 469 W |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 120 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 80 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка STGWT80V60DF , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 600V 80A
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара