PMDPB70XPE.115, МОП-транзистор PMDPB70XPE/SOT1118/HUSON6
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание PMDPB70XPE.115
| Упаковка / блок | DFN-2020-6 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 7.200 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 8.33 W |
| Конфигурация | Dual |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 66 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 7.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 P-Channel |
| Время спада | 15 ns |
| Время нарастания | 16 ns |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара