DXTP5860CFDB-7, Биполярные транзисторы - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
Артикул:
DXTP5860CFDB-7
Производитель:
Описание DXTP5860CFDB-7
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 30 g |
| Минимальная рабочая температура | + 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | U-DFN2020-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 0.69 W |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 155 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 180 at - 2 A, - 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 140 at - 2 A, - 2 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара