2N3019S, Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Артикул:
2N3019S
Производитель:
Описание 2N3019S
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-39-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара