IXFH150N20T, МОП-транзистор Trench HiperFETs Power МОП-транзисторs
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор Trench HiperFETs Power МОП-транзисторs
Артикул:
IXFH150N20T
Производитель:
Описание IXFH150N20T
| Серия | IXFH150N20 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 1.600 g |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 890 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 150 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 15 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 177 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара