SIHB17N80E-GE3, МОП-транзистор 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Код товара: 10671077
Цена от:
369,32 руб.
Нет в наличии
Описание SIHB17N80E-GE3
Серия | E |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | D2PAK-3 |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 208 W |
Технология | Si |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Конфигурация | Single |
Время спада | 26 ns |
Время нарастания | 24 ns |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Id - непрерывный ток утечки | 15 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 290 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Qg - заряд затвора | 122 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8.7 S |
Типичное время задержки выключения | 71 ns |
Типичное время задержки при включении | 22 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка SIHB17N80E-GE3 , МОП-транзистор 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара