NVMFS5C604NLWFT1G, МОП-транзистор NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NVMFS5C604NLWFT1G
| Упаковка / блок | SO-FL-8 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | NVMFS5C604NL |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 112.540 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Конфигурация | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 287 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 930 uOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 120 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 180 S |
| Время спада | 81.3 ns |
| Время нарастания | 79.1 ns |
| Типичное время задержки выключения | 57.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21.8 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара