PHPT61002NYCX, Биполярные транзисторы - BJT NPN High Power BipolarTransistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Power BipolarTransistor
Артикул:
PHPT61002NYCX
Производитель:
Описание PHPT61002NYCX
| Вес изделия | 66.400 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | LFPAK56-5 |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 50 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 150 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара