APT200GT60JR, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание APT200GT60JR
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | ISOTOP-4 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| Технология | SiC |
| Вес изделия | 29.200 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Pd - рассеивание мощности | 500 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 195 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 300 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара