PBSS5160QAZ, Биполярные транзисторы - BJT 60 V, 1A PNP low VCE sat (BISS) transi
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 60 V, 1A PNP low VCE sat (BISS) transi
Артикул:
PBSS5160QAZ
Производитель:
Описание PBSS5160QAZ
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 1.271 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | DFN1010D-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 at - 100 mA, - 2 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Pd - рассеивание мощности | 325 mW |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 125 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара