DXTN07060BFG-7, Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Артикул:
DXTN07060BFG-7
Производитель:
Описание DXTN07060BFG-7
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Вес изделия | 60 g |
| Упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара