FS50R12W2T4_B11, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A
Артикул:
FS50R12W2T4_B11
Производитель:
Описание FS50R12W2T4_B11
Продукт | IGBT Silicon Modules |
---|---|
Вид монтажа | Chassis Mount |
Упаковка | Tray |
Вес изделия | 39 g |
ECCN | EAR99 |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Pd - рассеивание мощности | 335 W |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.15 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 83 A |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара