SISHA10DN-T1-GE3, МОП-транзистор 30V N-CHANNEL (D-S) FAST SWITC
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SISHA10DN-T1-GE3
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Коммерческое обозначение | PowerPAK |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 39 W |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 10 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.7 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 27 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 52 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара