SIHFZ48S-GE3, МОП-транзистор 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIHFZ48S-GE3
| Серия | SIHFZ |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 3.372 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 190 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 250 ns |
| Время нарастания | 250 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 18 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Qg - заряд затвора | 110 nC |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 27 S |
| Типичное время задержки выключения | 210 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.1 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара