NDS0610-G, МОП-транзистор FET -60V 10.0 MOHM
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NDS0610-G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 9.255 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Время нарастания | 6.3 ns |
| Время спада | 7.5 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10 Ohms |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 mA |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Qg - заряд затвора | 1.8 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 70 mS |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.5 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара