RGT16NS65DGC9, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Код товара: 10640582
Цена от:
244,27 руб.
Нет в наличии
Описание RGT16NS65DGC9
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 94 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 16 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка RGT16NS65DGC9 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 794 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2155 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара