SI1424EDH-T1-GE3, МОП-транзистор 20V Vds 8V Vgs SC70-6
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SI1424EDH-T1-GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SI1 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 7.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 2.8 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 33 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |
| Qg - заряд затвора | 18 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара