SISF20DN-T1-GE3, МОП-транзистор Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD
Артикул:
SISF20DN-T1-GE3
Производитель:
Описание SISF20DN-T1-GE3
| Технология | Si |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212SCD-8 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Pd - рассеивание мощности | 69.4 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 22 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 5 ns |
| Время нарастания | 5 ns |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара