IPB60R105CFD7ATMA1, МОП-транзистор HIGH POWER_NEW
Описание IPB60R105CFD7ATMA1
Минимальная рабочая температура | 55 C |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
ECCN | EAR99 |
Вес изделия | 1.560 g |
Конфигурация | Single |
Время нарастания | 17 ns |
Время спада | 8 ns |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 106 W |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Id - непрерывный ток утечки | 21 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 105 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Qg - заряд затвора | 42 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Типичное время задержки выключения | 94 ns |
Типичное время задержки при включении | 25 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара