IKFW60N60EH3XKSA1, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) High speed hard switching 600 V, 60 A third generation TRENCHSTOP IGBT3 co-packed with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a TO-247 advanced isolation.
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) High speed hard switching 600 V, 60 A third generation TRENCHSTOP IGBT3 co-packed with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a TO-247 advanced isolation.
Артикул:
IKFW60N60EH3XKSA1
Производитель:
Описание IKFW60N60EH3XKSA1
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Серия | 600V TRENCHSTOP |
Упаковка | Tube |
ECCN | EAR99 |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Pd - рассеивание мощности | 164 W |
Технология | Si |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 63 A |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 63 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара