IKFW60N60EH3XKSA1, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) High speed hard switching 600 V, 60 A third generation TRENCHSTOP IGBT3 co-packed with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a TO-247 advanced isolation.

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) High speed hard switching 600 V, 60 A third generation TRENCHSTOP IGBT3 co-packed with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a TO-247 advanced isolation.
Код товара: 10636543
Дата обновления: 19.01.2022 08:20
Доставка IKFW60N60EH3XKSA1 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) High speed hard switching 600 V, 60 A third generation TRENCHSTOP IGBT3 co-packed with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a TO-247 advanced isolation. в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание IKFW60N60EH3XKSA1

Вид монтажаThrough Hole
Серия600V TRENCHSTOP
УпаковкаTube
ECCNEAR99
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
Упаковка / блокTO-247-3
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.600 V
Pd - рассеивание мощности164 W
ТехнологияSi
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.85 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C63 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.63 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA