NTHL110N65S3F, МОП-транзистор SUPERFET3 650V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NTHL110N65S3F
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Серия | SuperFET3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 5.457 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 240 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 58 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 16 ns |
| Время нарастания | 32 ns |
| Типичное время задержки выключения | 61 ns |
| Типичное время задержки при включении | 29 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 17 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара