SIHH100N60E-T1-GE3, МОП-транзистор 650V Vds; 30V Vgs PowerPAK 8x8
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIHH100N60E-T1-GE3
| Серия | E |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | PowerPAK-4 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 53 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 174 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 41 ns |
| Время нарастания | 54 ns |
| Типичное время задержки выключения | 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 26 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 12 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара