SQD50034EL_GE3, МОП-транзистор Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175C МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175C МОП-транзистор
Артикул:
SQD50034EL_GE3
Производитель:
Описание SQD50034EL_GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Pd - рассеивание мощности | 107 W |
| Время нарастания | 7 ns |
| Время спада | 7 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.3 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 60 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара