IRF624PBF-BE3, МОП-транзистор 250V N-CH HEXFET
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IRF624PBF-BE3
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Упаковка | Tube |
| Серия | IRF |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Время спада | 12 ns |
| Время нарастания | 13 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.1 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 14 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара