SIA477EDJT-T1-GE3, МОП-транзистор -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70-6L
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIA477EDJT-T1-GE3
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | PowerPAK-SC70-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SIA |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 19 W |
| Вес изделия | 41 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Высота | 0.75 mm |
| Длина | 2.05 mm |
| Ширина | 2.05 mm |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 83 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время спада | 50 ns |
| Время нарастания | 25 ns |
| Типичное время задержки выключения | 70 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара