CGH55030F2, РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt
Код товара: 10626916
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
27 977,84 руб.
Нет в наличии
Описание CGH55030F2
| Продукт | GaN HEMT |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Вес изделия | 6.675 g |
| Упаковка / блок | 440166 |
| Упаковка | Tray |
| Выходная мощность | 25 W |
| Длина | 14.09 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Высота | 3.43 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | GaN |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 120 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Тип транзистора | HEMT |
| Усиление | 12 dB |
| Рабочая частота | 4.5 GHz to 6 GHz |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 10 V to 2 V |
Способы доставки в Калининград
Доставка CGH55030F2 , РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара