SI4459BDY-T1-GE3, МОП-транзистор -30V Vds 16V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SI4459BDY-T1-GE3
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 5.6 W |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 6 ns |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 27.8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.6 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 81 S |
| Типичное время задержки выключения | 39 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара