SIRA10BDP-T1-GE3, МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Код товара: 10621666

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIRA10BDP-T1-GE3
Производитель:

Описание SIRA10BDP-T1-GE3

СерияSIR
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
УпаковкаReel, Cut Tape
ECCNEAR99
Количество каналов1 Channel
Упаковка / блокPowerPAK-SO-8
Pd - рассеивание мощности43 W
Вид монтажаSMD/SMT
Коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
ТехнологияSi
Время спада10 ns
Время нарастания20 ns
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Id - непрерывный ток утечки60 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток3.6 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
Qg - заряд затвора24.1 nC
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Типичное время задержки выключения25 ns
Типичное время задержки при включении7 ns
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.68 S

Способы доставки в Калининград

Доставка SIRA10BDP-T1-GE3 , МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.